Intel и Micron выпустили 34-нанометровую флэш-память

Компании Intel и Micron запустили производство многоуровневой флеш-памяти с соблюдением 34-нанометровой технологии, пишет «Lenta.ru».

Емкость ячейки 34-нанометровой флэш-памяти составляет 32 гигабита. Флэш-память с соблюдением 34-нанометрового техпроцесса будет выпускаться на совместном предприятии IM Flash Technologies. Площадь чипов составит 172 квадратных миллиметра. Они будут штамповаться на 300-миллиметровых подложках.

Данная флэш-память предназначена для установки в портативные устройства, например, фотаппараты, плееры и видеокамеры. Также она может использоваться для создания SSD-накопителей. При этом цена последних окажется ниже, чем у выпускаемых в настоящее время аналогов.

Intel и Micron рассчитывают, что к концу текущего года более половины модулей флэш-памяти на заводе IM Flash Technologies будет выпускаться по 34-нанометровой технологии. В начале 2009 года компании планируют начать производство одноуровневой флэш-памяти с соблюдением 34-нанометрового техпроцесса.